脉冲激光沉积β FeSi

用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的β-FeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到β-FeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。基片温度为500 °C,采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的β-FeSi2薄膜。衬底温度为550 °C时,β-FeSi2出现迷津状薄层。采用飞秒脉冲激光法β-FeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50~100 °C;薄膜的晶粒分布均匀连续,没有微米级的微滴;飞秒脉冲激光沉积效率