通过金属有机化学气相沉积法在6H SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon Ga2O3薄膜

Name: 通过金属有机化学气相沉积法在6H SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon Ga2O3薄膜
Rating: 4.5 (30 reviews)
Author: cl59654

上传者：cl59654 2021-04-19 19:55:26上传 PDF文件 1.76MB 热度 30次

通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon-Ga2O3薄膜

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

通过金属有机化学气相沉积法在6H SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon Ga2O3薄膜

通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上生长的六方相纯宽带隙epsilon-Ga2O3薄膜

大小：1.76MB | 2021-04-19 19:55:26
金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究

以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜....

大小：122KB | 2021-02-19 21:15:47
通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上制备160nm T栅极变质AlInAs GaInAs HEMT

报道了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaAs衬底上生长的160 nm栅长变质AlInAs ...

大小：814KB | 2021-03-14 14:46:02
金属有机化学气相沉积脉冲生长技术制备GaN纳米棒的模型

提出并建立了基于气-液-固(VLS)和气-固(VS)模式在金属有机化学气相沉积脉冲生长中的组合效应的...

大小：398KB | 2021-04-01 11:19:20
金属有机化学气相沉积法生长指数掺杂AlGaAs GaAs光电阴极的高量子效率

金属有机化学气相沉积法生长指数掺杂AlGaAs / GaAs光电阴极的高量子效率

大小：384KB | 2021-05-13 18:43:32
利用高温金属有机化学气相沉积法在蓝宝石上进行两步生长的AlN原位观察

利用高温金属有机化学气相沉积法在蓝宝石上进行两步生长的AlN原位观察

大小：1.22MB | 2021-04-20 10:44:30
高介电栅介质材料铝酸镧LaAlO3薄膜的金属有机化学气相沉积...

邵起越李爱东 ** 程进波吴迪刘治国闵乃本 ( 南京大学材料科学与工程系南京大学固体微结构...

大小：252KB | 2020-12-13 06:29:20
论文研究气敏应用金属有机化学气相沉积铬掺杂氧化锌薄膜的合成与表征

掺杂铬（Cr）的氧化锌ZnO薄膜通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在420°C的温度下以不同...

大小：5.47MB | 2020-07-18 01:55:22
金属有机化学气相沉积法制备的高效梯度带隙AlxGa1xAs GaAs光电阴极

为了提高在感兴趣的波长范围内的量子效率,特殊的梯度带隙开发了应用于AlGaAs / GaAs光电阴极...

大小：657KB | 2021-03-27 15:14:45
论文研究单固体前驱体制备金属有机化学气相沉积铝掺杂ZnO薄膜及其性能

采用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD），使用制备的乙酸锌二水合物（Zn（CH3COO）2⋅2H2...

大小：3.67MB | 2020-07-16 23:25:50
MOCVD金属有机物化学气相沉积

MOCVD简介：MOCVD金属有机物化学气相沉积，国外PPT详细介绍各种MOCVD原理

大小：0B | 2019-09-06 05:35:40
掺入参数对金属有机化学气相沉积法生长的蓝紫色InGaN GaN多量子阱电致发光的影响

研究了可在金属有机化学气相沉积(MOCVD)过程中改变In的掺入并影响蓝紫色InGaN / GaN多...

大小：333KB | 2021-03-27 01:04:52
生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO

有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在人工蛋白石空隙中填充了磷化铟(InP)晶体以改变这类材料的光...

大小：1.15MB | 2021-04-18 14:00:44
化学气相沉积CVD生长钻石薄膜的激光诊断

化学气相沉积(CVD)生长钻石薄膜的激光诊断

大小：1.43MB | 2021-02-25 09:46:09
低压化学气相沉积法生长B掺杂ZnO薄膜及其性能

低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以...

大小：530KB | 2021-04-01 06:16:14
常压化学气相沉积技术生长ZnO∶H薄膜的光学性质

采用常压金属有机物化学气相沉积技术(APMOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H...

大小：402KB | 2021-02-25 05:55:30