硅衬底上基于GaN的光电器件的综述

III族氮化物材料系统具有一些独特的特性,例如从红外到深紫外的大光谱覆盖,宽能带隙,高电子饱和速度,高电击穿场和强极化效应,这使得大家族具有非常大的优势。从光电到电力电子领域的广泛应用范围。 此外,由于在基于硅的集成电路的平台上具有成本效益的器件制造,因此在大尺寸硅衬底上成功地生长与GaN有关的III族氮化物材料使得上述应用易于实现商业化。 本文总结了在硅衬底上生长的GaN基材料和发光二极管的进展和发展,其中综述了有关材料生长和器件制造的一些关键问题。