锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究

研究了Si1-xGex合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂Si1-xGex合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为。