日本的半导体光激射器研究概况 上传者：haihua92995 2021-05-02 00:10:58上传 PDF文件 450.95KB 热度 14次 1962年美国通用电气公司、国际商业机械公司、麻省理工学院等实验室在GaAs二极管上通以正向电流而获得了激光。日本各单位随即展开了研究。63年东芝首先获得了GaAs的激光、测定了其谱线,发现谱线随杂质的种类与浓度而改变,8400埃谱钱的半宽度在0.2埃以下。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 haihua92995 资源：396 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
