硅中的光调制机制

调制即是通过施加电信号改变光波导中光的相位、强度和偏振等特征,以达到用光来传输信号的目的。硅的调制比较普遍的是利用载流子的注入或耗尽,而不是利用通常的电场效应,下面介绍几种调制机制。 1.普克尔效应 普克尔效应也叫线性电光效应,即材料的实折射率随外加电场变化而变化,它与电场相对于晶轴的方向有关。由于硅晶格的对称性,所以普克尔效应不存在,无法利用它进行调制。 2.克尔效应 克尔效应也叫二阶电光效应,即实折射率与电场平方的关系。硅虽然具有这种效应,IF是十分微弱。Soref等人通过理论得出:在1.um情况下,外加100 V/gm电场,折射率只改变10-4。 3.夫兰茨