InGaAs/AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射

研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200 A/cm2。在250 Κ到400 Κ范围内, 激光器表现出很好 的激射阈值温度稳定性,其阈值电流密度特征温度为179 Κ。在160~220 Κ范围内激光器的阈值电流随温度升高而减小,表现出负特征温度现象。