InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器, 给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55 μm的无应变激光器, 最佳的光限制层波长为1.24 μm, 厚度为100 nm。当阱材料引入压缩应变后.由于价带的有效状态密度减小, 量子阱激光器的微分增益变大, 阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显.所以最佳光限制层的波长将变短, 为1.20 μm。