InGaN量子阱激光器增益和阈值电流的理论计算
根据现有的材料参数,计算了In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密度是GaAs材料的5倍以上,但其特征温度可接近500 K。
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