InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究 上传者：qjw59858 2021-03-17 00:55:37上传 PDF文件 1.19MB 热度 20次 报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49 μm,在腔长为2000 μm时,最低阈值电流密度为0.30 kA/cm2.最大脉冲光输出峰值功率达500 mW以上.同时,从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系,并与LP-MOVPE生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较. 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 qjw59858 资源：426 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
