InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140 mW,激射波长为980 nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8 W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。