低能离子束诱导单晶硅点状纳米结构与光学性能研究

使用微波回旋共振离子源,研究了低能Ar+束在不同入射角度下对旋转单晶硅(100)表面的刻蚀效果及其光学性能。结果表明:样品旋转、离子束能量为1000 eV、束流密度为265 μA/cm2、刻蚀时间为60 min时,在不同入射角度下,刻蚀后的样品表面可形成均匀的自组装点状结构。入射角度为0°~25°时,随着角度增加,样品表面粗糙度增大,点状结构有序性更强,光学透射率提高;继续增加入射角度,样品表面粗糙度及点状结构尺寸开始减小,光学透射率降低;增加入射角度到45°时,自组装点状结构消失,粗糙度和平均光学透射率达到最小值分别为0.83 nm和55.05%;进一步增加入射角度,样品表面再次出现自组织装