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纳米硅/单晶硅异质结的电学特性

上传者: 2020-01-06 04:00:21上传 PDF文件 508.88KB 热度 31次
纳米硅/单晶硅异质结的电学特性,周哲,刘爱民,本文主要研究了inc-Si:H/pc-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66%和38%的本征纳�
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