反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究

结合SiO2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层,优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al2O3薄膜,并对样品进行快速热退火处理。结果表明,采用低浓度的NaOH溶液可以完全去除损伤层,在保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑;经450°C快速热退火后少子寿命达到29.34 μs,表面复合速率为306 cm·s-1,在可见光范围内平均反射率降至7.12%。