SF6/O2/CHF3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究

1.华中科技大学a.光电子工程系; b.激光技术国家重点实验室,武汉,430074; 2.中国电子科技集团第44研究所,重庆 400060)摘 要:采用统计实验方法研究了利用SF 6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF 6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF 3可以显著地减小表面粗糙的结论。关键词:反应离子刻蚀;硅;刻蚀速率;选择比 中图分类号:TN305.7 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)06-002