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NTMD2C02R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 16:14:56上传 PDF文件 26.04KB 热度 9次
产品型号:NTMD2C02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:2 A, 20 V,功率MOSFET价格/1片(套):¥4.80
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