NTMD2C02R2G的技术参数

产品型号:NTMD2C02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:2 A, 20 V,功率MOSFET价格/1片(套):¥4.80