NTJD2152PT1G的技术参数 上传者：lhw71279 2020-12-13 10:23:24上传 PDF文件 26.57KB 热度 28次 产品型号:NTJD2152PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):0.775通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-363/-55 ~150描述:8V双功率MOSFET带ESD保护价格/1片(套):¥1.80 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
