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NTJD4001NT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:56:59上传 PDF文件 25.65KB 热度 11次
产品型号:NTJD4001NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500最大漏极电流Id(on)(A):0.250通道极性:N封装/温度(°C):SC88-6/-55~150描述:30V,0.25A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):¥.60
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