NTJD4158CT1G的技术参数

产品型号:NTJD4158CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30/20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):260最大漏极电流Id(on)(A):0.25/0.88通道极性:N/P封装/温度(°C):SC88-6/-55~150描述:30V/-20V,0.25A/-0.88A,N/P沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无