NTJS4151PT1G的技术参数

产品型号:NTJS4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4.200通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-363/-55 ~150描述:-20 V, -4.2 A功率MOSFET价格/1片(套):¥1.52