NTE4151PT1G的技术参数

产品型号:NTE4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(°C):SC-89/-55 ~150描述:-20 V, -760 mA,功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20