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NTJS4160NT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 07:47:48上传 PDF文件 25.95KB 热度 6次
产品型号:NTJS4160NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):3.200通道极性:N封装/温度(°C):SC88-6/-55~150描述:30V,3.2A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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