NTJS4160NT1G的技术参数

产品型号:NTJS4160NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):3.200通道极性:N封装/温度(°C):SC88-6/-55~150描述:30V,3.2A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无