NTS2101PT1G的技术参数

产品型号:NTS2101PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):1.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-55 ~150描述:-8 V, -1.4 A,双功率MOSFET价格/1片(套):¥1.50