NTS4409NT1G的技术参数

产品型号:NTS4409NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):249@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):0.750通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-323/-55~150描述:0.75A,25V,ESD保护功率MOSFET价格/1片(套):¥1.00