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NTS4001NT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 09:24:41上传 PDF文件 25.77KB 热度 6次
产品型号:NTS4001NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500最大漏极电流Id(on)(A):0.270通道极性:N沟道封装/温度(°C):SC-70 /-55 ~150描述:30V, 270 mA,双功率MOSFET价格/1片(套):¥1.50
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