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NTMFS4833NT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:23:27上传 PDF文件 25.8KB 热度 8次
产品型号:NTMFS4833NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2最大漏极电流Id(on)(A):191通道极性:N封装/温度(°C):SO-8FL/-55~150描述:30V,191A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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