NTS4001NT1的技术参数

产品型号:NTS4001NT1源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1000@4.0V最大漏极电流Id(on)(A):0.270通道极性:N沟道封装/温度(°C):SC-70/-55~150描述:123A,100V单N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.50