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NTD60N03的技术参数

上传者: 2020-12-13 02:52:53上传 PDF文件 26KB 热度 6次
产品型号:NTD60N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:60A,28V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥6.70
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