1. 首页
  2. 移动开发
  3. Symbian
  4. NTD32N06L的技术参数

NTD32N06L的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:11:26上传 PDF文件 25.71KB 热度 4次
产品型号:NTD32N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23.700最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~175描述:32A,60V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00
用户评论