NTD32N06L的技术参数
产品型号:NTD32N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23.700最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~175描述:32A,60V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00
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