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NTD110N02R的技术参数

上传者: 2020-12-13 00:30:01上传 PDF文件 25.55KB 热度 7次
产品型号:NTD110N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:110A,24V功率MOSFET价格/1片(套):¥9.20
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