显示/光电技术中的GaN PIN光电探测器结构

为了提高工作速度和响应度,往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点:(1)由于高的势垒,因此有较低的暗电流;(2)工作速度高;(3)高阻抗适于焦平面阵列读出电路;(4)通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度;(5)器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中,本征层起到了至关重要的作用,其厚度需要认真优化,因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3-25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四,首先在600°C下淀积20.nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底,接着淀积500 nm厚的n ̄Al0.5Ga0.5N层,然后生长本征层1.Al 0.4Ga 0.6N。本