显示/光电技术中的工艺下集成光电探测器

集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器;其中电路部分则不是决定性的因素。 图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管结构[71]。N+埋层集电极用来做探测器的阴极,阳极由P+源/漏注入形成,工艺中的N阱则用来形成PIN光电二极管的I层,其厚度仅有0.7 gm,因此,该探测器的量子效率不会太高。入射光波长为850 nm时,响应度只有0.07 A/W。对于波长较小的入射光,由于其渗透深度较浅,可能会获得比较好的响应度指标。面积为75×15 p.m-2的光电二极