显示/光电技术中的GaN基肖特基结构紫外光电探测器

GaN光电导型探测器的最大缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。第一支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四,它具有如图1(a)所示的结构:它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN,通过掺杂Mg实现P型掺杂,最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触,图中Ti/Au为肖特基接触,Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W,响应时间大约为1uS,光谱响应也为200~365 nm。Chen等人[28]剐改用n-GaN制作了如图1(b)所示的结构,