显示/光电技术中的光电探测器结构示意图

四元化合物In1-X,GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配,并且其禁带宽度所对应的光谱吸收波长为1.65 ;tm,因此在1~1.65 gm波长范围内InGaAs是广泛使用的材料。与InGaAs相比,四元化合物InGaAsP的制造工艺更复杂,而且对于大多数外延技术而言在生长磷的过程当中难以获得统一组分的InGaAsP,因此InGaAsP的应用不如InGaAs广泛。InGaAs在高温600~700'C下用LPE技术生长,通过掺锡和锌来实现N型和P型掺杂。