显示/光电技术中的光电PIN探测器

尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350~500'C温度下生长在GaSb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂P型,较高的温度用来生长N型,′通过用掺碲和掺锗的方法来实现N型和P型掺杂。 第一支该材料的二极管如图1(a)所示[14],它具有GaSb/AlGaSb异质结构,量子效率达到了54%,响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征AlGaSb层实现PIN结构如图1(b)所示,同时响应波长降到了1.3 gm。图1(c)所示结构的本征层由两种不同组分AlGaAsSb层构成,这种平面结构和保护环增大了击穿电压,减