显示/光电技术中的光电SAM APD探测器

载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加,特别是当倍增区的禁带宽度较窄时,这种隧穿电流变得相当可观,严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流,人们设计了一种将吸收区和倍增区分开(Separate Absorption and Multiplication,SAM)的雪崩二极管,如图1(a)所示囫。和图1(a)一样,该结构表面也是一层透明的InP层,所不同的是它含有InP的pn结,同时只含一层InGaAsP吸收层并无InGaAsP的pn结。其电场分布如图1(b)所示,我们发现InP pn结区域电场最大,而InGaAsP层的电场较小。因此在InGaAsP中只吸收入射光产生光生载