ZnO基紫外雪崩光电探测器

由于在MgO绝缘层中发生的碰撞电离过程导致的载流子雪崩倍增,已经由Au / MgO / ZnO / MgO / Au结构制造了基于氧化锌(ZnO)的紫外线(UV)雪崩光电探测器(APD)。 APD的响应度可以达到1.7 x 10(4)AW(-1),光电探测器的雪崩增益在73 V时约为294。考虑到以前没有关于ZnO APD的报道,本文报道了结果有望成为高性能ZnO UV光电探测器的途径。