基础电子中的半导体VCSEL离子注入型

离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中,从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入,与晶体内的电子和原子核发生碰撞,产生晶格空位,并通过自由载流子的补偿在周围形成高阻区,这样就可以使注入电流集中注入到有源区内,如图所示。 离子注入的能量是由离子的质量和注入深度要求所决定的。H+,0+,N+和F+都可以作为注入离子,其中应用最广泛的还是H+。为了避免对有源区有过多的损伤,离子注入的深度一般都略高于量子阱的位置。 图所示的是一个详细的离子注入型VCSEL的剖面示意图。注入型VCSEL通常都是从电极的制作开始,先制作电极的目的是防止