基础电子中的半导体VCSEL再生长型

制作折射率导引型结构的VCSEL,需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀/再生长工艺来实现,其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料(折射率也随之变化),起到光场的横向限制作用,如图所示。具体步骤为先制作刻蚀掩模(SiO2,SiNx),将光腔刻蚀成柱型,然后在刻蚀掉的地方通过再次外延工艺生长出新的材料。 刻蚀/再生长结构除了对出射光有着良好的限制作用外,还可以对注入电流进行有效的横向限制,并且钝化有源区的侧面及有着良好的热沉特性。然而,由于构成DBR的AlGaAs非常容易受到诸如化学工艺、离子轰击及空气氧化等因素的影响,这些都会对外延生长造成影响。尤其是AlGaAs表面氧化层