基础电子中的半导体VCSEL刻蚀空气柱型

对载流子进行横向限制,最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构,如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料,通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿法腐蚀中,为了严格控制腐蚀的深度,通常采用较为温和的磷酸溶液作为腐蚀液,并且磷酸对GaAs和A1As的腐蚀没有选择性。按照一定的浓度配比,例如,H3P04:H2O2:H2O=1∶1∶10,进行各向同性的湿法腐蚀。一般湿法腐蚀的腐蚀深度比较难控制,刻蚀后在柱的底部有凹槽,这限制了器件直径的进一步减小。另外一个缺点就是工艺的可重复性较差,腐蚀液的配比、腐蚀时间和腐蚀温度都会影响到表面的质量。