基础电子中的半导体VCSEL选择氧化型

选择氧化技术最初是应用于边发射激光器领域中,后来才被引入到VCSEL的制作中,如图1所示。其原理是将高A1组分的A1,Ga; ̄,As在350~500°C下与水汽反应生成化学性质稳定、绝缘性能良好且折射率低的氧化层。由于这种结构对光子和电子都能进行有效的横向限制,因此得到了广泛的关注。 图1 半导体VCSEL选择氧化型 构造选择氧化型VCSEL,要预先设计好氧化后各层的组成及分布情况,以此来决定氧化的速率,而且希望在邻近谐振腔的AlGaAs层上能够得到大的氧化范围,即小的氧化孔径,如图2所示。 图2 选择氧化型VCSEL剖面图 通过在VCSEL中进行A1组分的选择氧