论文研究 间隙下激发研究生长在LT GaN和AlN缓冲层上的n GaN中的非辐射复合中心

通过两个波长激发光致发光（TWEPL）研究了通过MOCVD技术在LT-GaN缓冲层和aAlN缓冲层上生长的n型GaN样品中的非辐射复合（NRR）中心。 由于能量为0.93、1.17和1.27 eV的间隙以下激发（BGE）光与能量4.66 eV的间隙以上激发（AGE）光的叠加，近带边缘光致发光（PL）强度降低。 由于加入了BGE，PL强度的降低已通过基于SRH统计的两级重组模型进行了解释。 它表明两个样本中都存在一对NRR中心，这些中心由BGE激活。 对于所有BGE源，在LT-GaN缓冲层上生长的样品的PL强度的淬灭程度要强于在AlN缓冲层上生长的样品。 该结果表明，与LT-GaN缓冲层相比，使