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SiC纳米线弯曲变形下的电学性能研究

上传者: 2020-07-18 17:23:44上传 PDF文件 539KB 热度 12次
SiC纳米线弯曲变形下的电学性能研究,高攀,王疆靖,在透射电子显微镜下,利用纳米操控系统对单根SiC纳米线进行了系列操控,包括单根纳米线的选取、固定、应变加载等,并对其电学输运
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