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SiC纳米线多衬底依赖生长研究

上传者: 2020-05-04 22:12:46上传 PDF文件 685.71KB 热度 25次
SiC纳米线多衬底依赖生长研究,庞春雷,崔浩,以SiO粉末和石墨作为硅源和碳源,利用立式高频感应炉在Ar气流的引导下,我们成功合成出了SiC/SiO2纳米线膜。通过改变实验条件,这种�
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