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疏水性非晶碳包覆层对SiC纳米线场发射性能的改善

上传者: 2020-05-19 18:44:41上传 PDF文件 687.83KB 热度 13次
疏水性非晶碳包覆层对SiC纳米线场发射性能的改善,张猛,李镇江,在SiC纳米线表面修饰一层低功函外壳对于提升其场发射特性是一种简单有效的途径。本文采用Fe-Ni催化化学气相反应法在SiC纳米线表面成�
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