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论文研究GaAs纳米线轴向pn结阵列的电学特性研究 .pdf

上传者: 2020-01-16 18:50:29上传 PDF文件 648.85KB 热度 28次
GaAs纳米线轴向pn结阵列的电学特性研究,陈雄,李军帅,与普通平面生长不同,半导体纳米线在生长时可以沿着垂直于侧面的两个维度释放由于晶格不匹配引起的应力应变,可以方便地在径向或
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