p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究.pdf
以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系
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