论文研究 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2020-07-18 20:10:01上传 PDF文件 403.46KB 热度 29次 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究，周桂林，张金城，采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术，制备了增强型Si衬底SiO2 /GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
