论文研究 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2020-07-18 20:10:01上传 PDF文件 403.46KB 热度 9次 增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究，周桂林，张金城，采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术，制备了增强型Si衬底SiO2 /GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 立即下载 用户评论 发表评论 CSDN阿坤 资源：19615 粉丝：1 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
