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论文研究 基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究 .pdf

上传者: 2020-07-16 23:28:47上传 PDF文件 804.21KB 热度 29次
基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究,周乐,龚大卫,本文基于SOI技术,研究影响高压LDMOS器件击穿电压的主要因素,通过软件模拟和实际工艺制造相结合的方法进行实验,以获得700V以上击穿
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