论文研究 基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2020-07-16 23:28:47上传 PDF文件 804.21KB 热度 47次 基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究，周乐，龚大卫，本文基于SOI技术，研究影响高压LDMOS器件击穿电压的主要因素，通过软件模拟和实际工艺制造相结合的方法进行实验，以获得700V以上击穿 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
