论文研究 基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2020-07-16 23:28:47上传 PDF文件 804.21KB 热度 33次 基于SOI技术高压LDMOS击穿电压的研究，周乐，龚大卫，本文基于SOI技术，研究影响高压LDMOS器件击穿电压的主要因素，通过软件模拟和实际工艺制造相结合的方法进行实验，以获得700V以上击穿 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 CSDN阿坤 资源：19615 粉丝：1 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
