具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS

Name: 具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS
Rating: 4.5 (30 reviews)
Author: jameshuang86502

上传者：jameshuang86502 2021-04-30 18:55:21上传 PDF文件 275.32KB 热度 30次

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS

具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS

大小：275KB | 2021-04-30 18:55:21
具有超低比导通电阻的RESURF增强型p沟道沟道SOI LDMOS

低比导通电阻(R-ON,R-sp)绝缘体上硅(SOI)p沟道LDMOS(pLDMOS),具有增强的减...

大小：2.5MB | 2021-04-30 18:55:17
具有超低比导通电阻的累积模式高压SOI LDMOS

具有超低比导通电阻的累积模式高压SOI LDMOS

大小：1012KB | 2021-04-21 21:36:07
具有平面和沟槽栅极集成的低导通电阻三重RESURF SOI LDMOS

提出了一种低导通电阻(Ron,sp)的可积硅绝缘体(SOI)n沟道横向双扩散金属氧化物半导体(LDM...

大小：299KB | 2021-04-21 21:36:06
具有U形栅极和累积层的超低比导通电阻沟槽LDMOS

具有U形栅极和累积层的超低比导通电阻沟槽LDMOS

大小：1.14MB | 2021-04-24 10:01:25
具有新型结型场板的低比导通电阻SOI LDMOS

具有新型结型场板的低比导通电阻SOI LDMOS

大小：451KB | 2021-04-21 21:22:09
具有三重RESURF结构的新型高压SOI LDMOS

提出了一种新颖的三重RESURF(T-surf)SOI LDMOS结构。该结构具有P型掩埋层。首...

大小：405KB | 2021-02-27 10:19:05
高压SOI沟槽LDMOS的通用沟槽设计方法

介绍了针对各种沟槽介电常数,宽度和深度的高压SOI沟槽LDMOS的设计方法。首次提出了一种通用的高...

大小：371KB | 2021-03-08 03:52:25
具有累积效应扩展栅极的超低导通电阻高压p沟道LDMOS

具有累积效应扩展栅极的超低导通电阻高压p沟道LDMOS

大小：2.62MB | 2021-04-21 21:36:10
具有降低的单元间距的超低导通电阻高压600V SOI MOSFET

提出了一种具有降低的单元间距的低比导通电阻(R(S,on))绝缘体上硅(SOI)沟槽MOSFET(金...

大小：896KB | 2021-02-23 17:06:26
使用沟槽栅极和嵌入式漏极的低导通电阻SOI LDMOS

使用沟槽栅极和嵌入式漏极的低导通电阻SOI LDMOS

大小：1.21MB | 2021-04-07 11:08:28
具有三个分离栅极和高k介电常数的超低导通电阻SOI LDMOS

具有三个分离栅极和高k介电常数的超低导通电阻SOI LDMOS

大小：1.55MB | 2021-04-21 21:22:13
具有复合掩埋层的高压SOI LDMOS

提出了具有复合掩埋层(CBL)的SOI LDMOS。 CBL由具有Si窗口和两个氧化物台阶的上部掩埋...

大小：1024KB | 2021-02-27 10:19:03
与n沟道LDMOS兼容的低导通电阻掩埋电流路径SOI p沟道LDMOS

一种与高电压(HV)n沟道LDMOS兼容的新型低比导通电阻(R-on,R-sp)绝缘体上硅(SOI)...

大小：1.01MB | 2021-04-24 04:26:36
具有双栅极和凹入漏极的低比导通电阻SOI MOSFET

具有双栅极和凹入漏极的低比导通电阻SOI MOSFET

大小：745KB | 2021-04-07 11:08:23
具有高k介电柱的超低比导通电阻超结垂直DMOS

提出了一种超结(SJ)VDMOS,其沟槽栅极下方具有高k(HK)介电柱,并通过仿真进行了研究。 HK...

大小：649KB | 2021-05-09 06:37:54